k2387场效应管参数
发布时间：2026-01-30 21:14:52来源：
【k2387场效应管参数】K2387是一种常见的N沟道MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、电池管理系统等电子电路中。该型号的场效应管具有较低的导通电阻、较高的耐压能力以及良好的开关性能，是许多电子设计中的优选元件。
以下是对K2387场效应管主要参数的总结与整理，便于用户在选型和应用过程中参考。
一、K2387场效应管关键参数总结
| 参数名称 | 符号 | 数值/范围 | 说明 |
| 漏源电压 (Vds) | Vds | 60V | 最大允许漏源电压 |
| 栅源电压 (Vgs) | Vgs | ±20V | 栅源电压工作范围 |
| 连续漏电流 (Id) | Id | 15A | 最大连续漏极电流 |
| 导通电阻 (Rds(on)) | Rds(on) | 0.045Ω@Vgs=10V | 在特定栅源电压下的导通电阻 |
| 阈值电压 (Vth) | Vth | 1.0~2.5V | 开启场效应管所需的最小栅源电压 |
| 栅极电荷 (Qg) | Qg | 19nC | 栅极充电所需电荷量 |
| 开关时间 (tr/tf) | tr/tf | 50ns/20ns | 上升/下降时间 |
| 工作温度范围 | Tj | -55℃~150℃ | 允许的工作结温范围 |
| 封装类型 | - | TO-220 | 常见封装形式 |
二、使用注意事项
1. 栅极驱动需注意：由于K2387的栅极对静电敏感，建议在电路设计中加入适当的保护电路，如栅极电阻和二极管，以防止误触发或静电击穿。
2. 散热设计：在高电流应用中，应考虑加装散热片或使用散热垫，避免因过热导致性能下降甚至损坏。
3. 电压限制：虽然K2387的耐压为60V，但在实际应用中应留有余量，避免长时间处于极限电压下工作。
4. 驱动信号匹配：选择合适的驱动电路，确保栅极电压能够快速充放电，提高开关效率。
三、典型应用场景
- 开关电源中的功率开关
- 电机驱动模块
- 电池管理系统中的控制开关
- 低压直流转换器
综上所述，K2387场效应管是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET，适用于多种电力电子场合。在实际使用中，合理的设计与选型可以充分发挥其优势，提升系统整体性能。
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